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SOI技术中的ESD保护

绝缘体上硅(SOI)技术已经存在了数十年,尽管具有若干技术优势(更低的功耗、更短的门延迟、减少的寄生电容),但它并未取代体硅CMOS工艺技术。对于某些特定应用,其益处可能超过晶圆成本更高和浮体效应、历史效应等设计挑战。

esd nmos 钳位 漏极 soi 2025-10-27 21:29  3

IBS CEO:边缘AI给中国和FD-SOI带来巨大机遇!

9月25日——“目前,中国数据中心的功耗高于美国数据中心,但中国拥有强大的发电能力,当台积电 A16 和 A14 工艺的晶圆上市时,可能会出现性能问题。”在今天开幕的第十届上海FD-SOI论坛上,IBS CEOHandel Jones在《边缘AI机遇和FD-S

ceo fd ibs soi ibsceo 2025-09-26 07:58  7